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產(chǎn)品中心 > 產(chǎn)品目錄 > WBG寬禁帶 > SiC MOSFET
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  • AEC-Q
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  • VDSS
    (V) Max
  • RDS(on)
    (mΩ) Typ
  • RDS(on)
    (mΩ) Max
  • RthJC
    (°C/W)
  • ID
    (A) Max
  • PD
    (W) Max
  • Qg
    (nC) typ
  • TJ (Max)
    (oC)
  • GMS650170P
  • NO
  • TO-247AD
  • Active
  • 1700
  • 650
  • 1000
  • 1.74
  • 9
  • 85
  • 13.2
  • 175
GMS650170P
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